Новини
от ИЕЕС - БАН
Проф. д-р Илия Вълов пред Nature Materials: Материалознанието е ключът към следващото поколение мемристорни устройства за изкуствен интелект
Проф. д-р Илия Вълов, учен от Института по електрохимия и енергийни системи „Акад. Евгени Будевски“ – БАН и в Изследователския център Юлих, Германия, наскоро даде интервю за престижното научно списание Nature Materials, посветено на ролята на материалите и наноразмерните структури в развитието на мемристорните устройства.
В разговор с Вей Фан, проф. Вълов представя вижданията на проф. Илия Вълов относно материалните и електрохимичните основи на мемристорите и тяхното значение за бъдещето на изкуствения интелект.
Той подчертава:
- Мемристорите са обещаваща технология за хардуерно ускоряване на AI, тъй като позволяват бърза обработка на данни при ниска енергийна консумация. „Ионите… могат да модифицират електронните, магнитните, оптичните и структурните свойства на матрицата“.
- Контролът върху проводящите филаменти (състав, геометрия, растеж) е ключов за постигане на стабилност, многослойно съхранение и линейност.
- Интерфейсното инженерство е критично, защото на наномащаб дори нежелани междинни слоеве могат да определят поведението на устройството. „Интерфейсните филми могат да бъдат толкова дебели, колкото функционалните слоеве“.
- Квантови ефекти стават доминиращи при суб-нанометрови размери, което затруднява стабилността на филаментите и увеличава тунелните токове.
- Ниски температури на депозиция и 2D материали могат да подобрят качеството на метал–оксидните интерфейси и да предотвратят дифузия и деградация.
- Чистотата на материалите е силно подценяван фактор — дори 100 ppm примеси могат да променят характеристиките на мемристорите.
Проф. Вълов акцентира върху необходимостта от:
- изследване на връзката между материалите, процесите и функционалностите;
- разработване на нови аналитични техники за наблюдение на филаментите в реално време;
- стабилизиране на квантови контакти за нови приложения.
Интервюто е публикувано в рубриката Q&A на Nature Materials и представя актуалните научни предизвикателства и перспективи в областта на мемристивните технологии.
Към оригиналната статия:
Fan, W. Material considerations of memristors at the nanoscale. Nat. Mater. (2026). https://doi.org/10.1038/s41563-026-02634-2
BG
English