Този сайт използва бисквитки (cookies) за да може да ви предостави възможно най-доброто потребителско изживяване. Продължавайки да разглеждате този сайт, вие се съгласявате с използването на бисквитки от него!

Новини

от ИЕЕС - БАН

Проф. д-р Илия Вълов пред Nature Materials: Материалознанието е ключът към следващото поколение мемристорни устройства за изкуствен интелект

17.06.2026

Проф. д-р Илия Вълов, учен от Института по електрохимия и енергийни системи „Акад. Евгени Будевски“ – БАН и в Изследователския център Юлих, Германия, наскоро даде интервю за престижното научно списание Nature Materials, посветено на ролята на материалите и наноразмерните структури в развитието на мемристорните устройства.

В разговор с Вей Фан, проф. Вълов представя вижданията на проф. Илия Вълов относно материалните и електрохимичните основи на мемристорите и тяхното значение за бъдещето на изкуствения интелект.

 

Той подчертава:

 - Мемристорите са обещаваща технология за хардуерно ускоряване на AI, тъй като позволяват бърза обработка на данни при ниска енергийна консумация. „Ионите… могат да модифицират електронните, магнитните, оптичните и структурните свойства на матрицата“.

 - Контролът върху проводящите филаменти (състав, геометрия, растеж) е ключов за постигане на стабилност, многослойно съхранение и линейност.

 - Интерфейсното инженерство е критично, защото на наномащаб дори нежелани междинни слоеве могат да определят поведението на устройството. „Интерфейсните филми могат да бъдат толкова дебели, колкото функционалните слоеве“.

 - Квантови ефекти стават доминиращи при суб-нанометрови размери, което затруднява стабилността на филаментите и увеличава тунелните токове.

 - Ниски температури на депозиция и 2D материали могат да подобрят качеството на метал–оксидните интерфейси и да предотвратят дифузия и деградация.

 - Чистотата на материалите е силно подценяван фактор — дори 100 ppm примеси могат да променят характеристиките на мемристорите.

Проф. Вълов акцентира върху необходимостта от:

 - изследване на връзката между материалите, процесите и функционалностите;

 - разработване на нови аналитични техники за наблюдение на филаментите в реално време;

 - стабилизиране на квантови контакти за нови приложения.

 

Интервюто е публикувано в рубриката Q&A на Nature Materials и представя актуалните научни предизвикателства и перспективи в областта на мемристивните технологии.

 

Към оригиналната статия:

Fan, W. Material considerations of memristors at the nanoscale. Nat. Mater. (2026). https://doi.org/10.1038/s41563-026-02634-2